製程痛點與工程挑戰

在高精密半導體封裝製程中，Die Bond 製程對定位精度、表面品質與零件穩定性要求極高，但傳統製程設備與零組件常面臨多項工程挑戰。例如 Die Bond 取片良率僅約95%，低於先進封裝製程需求；超薄晶片（0.05mm）在取片與貼合過程中，容易因應力集中產生破片或裂痕問題。此外，傳統鋁材頂針組平面度不足（約5μm），導致晶片支撐不均，影響貼合穩定性。過高的表面粗糙度（Ra 1.6μm）也容易造成晶片刮傷與定位偏移。同時，微細鑽孔精度與真圓度不足（20μm），以及頂針尺寸過大造成干涉問題，皆會影響微小晶片的取放精度與封裝良率，難以滿足高階半導體與先進封裝製程需求。

解決方案：

為解決高精密半導體封裝製程中的取片穩定性與微小晶片加工問題，我們導入異材結合頂針組（Hybrid Ejector Pin Design）技術，採用鎢鋼（Tungsten Carbide）與不鏽鋼（Stainless Steel）複合設計，大幅提升頂針組的硬度、耐磨耗性與整體結構穩定性，同時突破傳統鋁材在強度與加工精度上的限制，有效降低長時間使用後的變形與磨耗問題。

此外，透過高精度研磨加工技術，可將頂針組平面度控制於 <2μm、表面粗糙度降低至 Ra <0.65μm，提供更穩定且均勻的晶片支撐能力，特別適用於 0.05mm 超薄晶片與高良率 Die Bond 取片製程，有效降低破片與晶片偏移風險。

在微細加工方面，我們導入高精度微細孔加工技術，孔徑可達 Ø0.21mm、真圓度控制於 <10μm，並實現 SR0.15mm 微小頂針尺寸設計，可支援微小晶片、高密度封裝與先進半導體製程需求，進一步提升取片精度與封裝良率。

製程驗證（Process Validation）：

● 測試場域：台灣知名A封裝廠
● 測試條件：40,000次 Die Pick & Place循環
● 適用產品：薄晶片（Thin Die）

測試成果：

● 目標：取片良率提升至 99%以上（High Yield Semiconductor Process）
● 大幅降低晶片破裂（Chip Cracking Reduction）
● 提升Die Bond製程穩定性

成功案例總結

本案例成功透過高精密頂針組設計（Ejector Pin Design）與微細加工技術（Precision Machining），有效解決半導體薄晶片取片良率問題（Thin Chip Handling Yield Improvement），並實現高良率（>99%）與低成本的最佳化解決方案。

展暘透過高精度加工、異材整合與先進封裝製程經驗，持續協助客戶突破薄晶片與高密度封裝中的技術瓶頸，成為半導體先進封裝與精密零組件領域的重要技術夥伴。