แอปพลิเคชันการบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง CoWoS
เทคโนโลยี CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) เป็นหนึ่งในโซลูชันการบรรจุขั้นสูงที่สำคัญที่สุดในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ในปัจจุบัน โดยใช้สถาปัตยกรรมการรวม IC แบบ 2.5D CoWoS ช่วยให้สามารถรวมชิปประสิทธิภาพสูงหลายตัว เช่น CPU, GPU และ HBM (High Bandwidth Memory) บนตัวกลางซิลิคอน ทำให้สามารถบรรลุการสื่อสารที่มีแบนด์วิดธ์สูงมาก ความหน่วงต่ำ และประสิทธิภาพในระดับระบบที่เหนือกว่า.
ในฐานะที่เป็น AI, HPC (การประมวลผลประสิทธิภาพสูง) และแอปพลิเคชันศูนย์ข้อมูลรุ่นถัดไปยังคงขับเคลื่อนความต้องการพลังการประมวลผลที่สูงขึ้น CoWoS จึงกลายเป็นเทคโนโลยีที่สำคัญในการสนับสนุนการบรรจุเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง มันให้ประสิทธิภาพ, ประสิทธิภาพพลังงาน, และความหนาแน่นในการรวมที่จำเป็นสำหรับแพลตฟอร์มการประมวลผลสมัยใหม่ในขณะที่สนับสนุนสถาปัตยกรรมที่ซับซ้อนมากขึ้นซึ่งใช้หลายชิปและชิปเล็ท.
Zhanyang มีพอร์ตโฟลิโอที่ครอบคลุมของส่วนประกอบบรรจุภัณฑ์ CoWoS ที่สำคัญ, อุปกรณ์ยึดที่แม่นยำ, และโซลูชันเครื่องมือกระบวนการเพื่อสนับสนุนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง โดยใช้ความเชี่ยวชาญในกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ที่กว้างขวาง, ความสามารถในการกลึงที่แม่นยำ, และบริการวิศวกรรมที่กำหนดเอง เราช่วยลูกค้าในการปรับปรุงความแม่นยำในการบรรจุภัณฑ์, เสถียรภาพของกระบวนการ, ประสิทธิภาพการผลิต, และผลผลิตสำหรับอุปกรณ์คอมพิวเตอร์ประสิทธิภาพสูงรุ่นถัดไป.
กระบวนการบรรจุภัณฑ์ CoWoS
กระบวนการบรรจุภัณฑ์ CoWoS ประกอบด้วยขั้นตอนสำคัญดังต่อไปนี้:
การผลิตซิลิคอนอินเตอร์โพเซอร์
● การประมวลผล TSV (Through Silicon Via)
● การเชื่อมต่อโลหะความหนาแน่นสูง
การรวมชิปบนเวเฟอร์
● การติดตั้งชิ้นส่วนลงบนซิลิคอนอินเตอร์โพเซอร์
● การจัดตำแหน่งที่มีความแม่นยำสูง (การจัดตำแหน่ง < 5 μm)
การประกอบเวเฟอร์บนซับสเตรต
● การเชื่อมโยงโครงสร้างที่รวมเข้าด้วยกันลงบนซับสเตรตอินทรีย์
ชั้นการกระจาย (RDL) & การห่อหุ้ม
● การเชื่อมต่อไฟฟ้าและการป้องกันบรรจุภัณฑ์
การทดสอบ & การตัด
● การทดสอบโมดูลสุดท้ายและการแยกชิ้นส่วน
ความท้าทายทางเทคนิคในบรรจุภัณฑ์ CoWoS
- การรวมชิปขนาดใหญ่: ขนาดชิปที่ใหญ่ขึ้นเพิ่มความเสี่ยงของการบิดเบี้ยวของแพ็คเกจ
- การจัดการความร้อน: ความหนาแน่นพลังงานสูงสร้างความร้อนที่สำคัญ
- การจัดตำแหน่งที่มีความแม่นยำสูง: การรวมหลายชิปต้องการการจัดตำแหน่งที่แม่นยำอย่างยิ่ง
- การควบคุมความเครียด: ความไม่ตรงกันของ CTE ระหว่างวัสดุต่างๆ อาจทำให้เกิดการเปลี่ยนรูป
- การควบคุมผลผลิต: กระบวนการผลิตที่ซับซ้อนสร้างความท้าทายในการผลิตที่มากขึ้น
-
ข้อกำหนดหลัก:
● เครื่องมือยึดที่มีความแม่นยำสูง
● วัสดุที่มีความนำความร้อนสูง
● อุปกรณ์และเครื่องมือที่มีความแข็งแรงสูง
ความสามารถทางเทคนิคหลักของเรา
เรามีบริการ:
● การพัฒนาชิ้นส่วนสำคัญสำหรับการบรรจุ CoWoS
● การออกแบบอุปกรณ์สำหรับกระบวนการบรรจุ 2.5D
● การกลึงที่แม่นยำและการรวมวัสดุขั้นสูง
ความสามารถทางเทคนิค:
● การกลึงที่มีความแม่นยำระดับไมครอน
● วัสดุที่มีความนำความร้อนสูง (AlSiC / โลหะผสมทองแดง)
● การกลึงเซรามิกที่มีความแม่นยำ (AlN)
● การขัดที่มีความแม่นยำสูงและการควบคุมความเรียบ
กำลังส่งมอบ: ความแม่นยำสูง x ประสิทธิภาพความร้อนที่เหนือกว่า x เสถียรภาพที่ยอดเยี่ยม
ชิ้นส่วนความแม่นยำสูงและการสนับสนุนด้านเครื่องมือที่สำคัญสำหรับบรรจุภัณฑ์ CoWoS
ในกระบวนการบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงที่เกี่ยวข้องกับ CoWoS การเชื่อมต่อหลายชิ้นส่วน การจัดการความร้อน การควบคุมแรงดัน และความเสถียรในการจัดการเวเฟอร์ล้วนมีบทบาทสำคัญในการรักษาความแม่นยำในการบรรจุภัณฑ์และความสอดคล้องของกระบวนการ ตามแบบของลูกค้า อินเทอร์เฟซอุปกรณ์ และความต้องการของกระบวนการ Zhanyang ให้การกลึงชิ้นส่วนที่มีความแม่นยำและการสนับสนุนเครื่องมือที่ปรับแต่งสำหรับแอปพลิเคชันการบรรจุภัณฑ์ CoWoS ที่เกี่ยวข้อง.
เครื่องมือ Bond
เครื่องมือ Bond ถูกใช้ในกระบวนการติดตั้งชิ้นส่วนหรือการเชื่อมชิปเพื่อสนับสนุนความเรียบของพื้นผิวการติดต่อ, ความเสถียรทางความร้อน, และความสม่ำเสมอในการเชื่อม.
● ความต้องการการกลึงที่มีความเรียบสูง
● ความเสถียรทางความร้อนที่ยอดเยี่ยม
● วัสดุต่างๆ เช่น M390, เซรามิก, และทังสเตนคาร์ไบด์สามารถประเมินได้ตามความต้องการในการใช้งาน
ขั้นตอนการให้ความร้อน
ขั้นตอนการให้ความร้อนทำหน้าที่เป็นแพลตฟอร์มการให้ความร้อนและการสนับสนุนในระหว่างกระบวนการที่เกี่ยวข้องกับการเชื่อม ช่วยรักษาอุณหภูมิของกระบวนการ ความเสถียรของการสัมผัส และความสม่ำเสมอในการกระจายความร้อน.
● การสนับสนุนความสม่ำเสมอของความร้อน
● การควบคุมอุณหภูมิของกระบวนการอย่างเสถียร
● การออกแบบที่ปรับแต่งได้ตามขนาดอุปกรณ์และความต้องการของอินเทอร์เฟซ
หัวเชื่อมต่อ
หัวเชื่อมถูกใช้สำหรับการถ่ายโอนแรงดันและการสนับสนุนการจัดตำแหน่งในระหว่างกระบวนการเชื่อมหรือการกด ช่วยปรับปรุงเสถียรภาพการกระจายแรงดันและลดความเสี่ยงจากการไม่ตรงกัน.
● โครงสร้างที่มีความแข็งแรงสูง
● การกระจายแรงดันที่สม่ำเสมอ
● การออกแบบที่ปรับแต่งได้ตามพื้นที่เชื่อมและความต้องการของอุปกรณ์
ฮีตซิงค์ AlSiC
ฮีตซิงค์ AlSiC เหมาะสำหรับชิปที่มีพลังงานสูงและการบรรจุที่มีความหนาแน่นความร้อนสูง ช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพการกระจายความร้อนและลดความเสี่ยงที่เกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนรูปทางความร้อนและความไม่ตรงกันของ CTE.
● ความนำความร้อนสูง
● สัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำ (Low CTE)
● สามารถใช้กับโครงสร้างการจัดการความร้อนสำหรับแอปพลิเคชันที่เกี่ยวข้องกับการบรรจุขั้นสูง
ตะกร้าชิป / อุปกรณ์ที่กำหนดเอง
ตัวรองรับเวเฟอร์และอุปกรณ์ที่ปรับแต่งได้ถูกใช้สำหรับการจัดการเวเฟอร์หรือแพ็คเกจ, การวางตำแหน่ง, การสนับสนุน, และการถ่ายโอนกระบวนการ, ช่วยปรับปรุงความเสถียรของกระบวนการและความเข้ากันได้ของอุปกรณ์.
● การสนับสนุนที่มีความแบนราบสูงและความแข็งแรงสูง
● ช่วยลดความเสี่ยงในการจัดการและการเบี่ยงเบนตำแหน่ง
● ปรับแต่งได้ตามขนาดเวเฟอร์, อินเตอร์เฟซอุปกรณ์, และความต้องการของกระบวนการ
ข้อได้เปรียบทางเทคนิค
- ความสามารถในการผลิตบรรจุภัณฑ์แบบ 2.5D ที่มีความแม่นยำสูง
- ความเชี่ยวชาญด้านการผสานรวมวัสดุจัดการความร้อนขั้นสูง
- โซลูชันบรรจุภัณฑ์ CoWoS แบบกำหนดเอง
- เสถียรภาพที่พิสูจน์แล้วในการผลิตจำนวนมากระยะยาว
การใช้งาน
- โปรเซสเซอร์ AI และ GPU
- การประมวลผลสมรรถนะสูง (HPC)
- ศูนย์ข้อมูล
- อุปกรณ์เครือข่ายและการสื่อสาร
- แพลตฟอร์มการประมวลผลความเร็วสูง
ทำไมถึงเลือก Zhanyang
เรามีมากกว่าชิ้นส่วน—เรานำเสนอวิธีแก้ปัญหาการบรรจุขั้นสูง CoWoS อย่างครบถ้วน.
ความเชี่ยวชาญของเรามุ่งเน้นไปที่การปรับแต่งกระบวนการบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง CoWoS 2.5D ผ่านเครื่องมือเชื่อมที่มีความแม่นยำสูง, ขั้นตอนการให้ความร้อน, และการออกแบบโมดูลการจัดการความร้อน โดยการจัดการกับความท้าทายที่เกี่ยวข้องกับความหนาแน่นพลังงานสูงและการรวมหลายชิปอย่างมีประสิทธิภาพ เราช่วยให้สามารถพัฒนาโปรเซสเซอร์ AI รุ่นถัดไปและอุปกรณ์คอมพิวเตอร์ประสิทธิภาพสูงได้.
ด้วยประสบการณ์ที่กว้างขวางในด้านการบรรจุเซมิคอนดักเตอร์ การกลึงที่แม่นยำ วัสดุขั้นสูง และเทคโนโลยีการจัดการความร้อน Zhanyang เป็นพันธมิตรที่คุณไว้วางใจในการบรรลุผลผลิตการบรรจุที่สูงขึ้น ความน่าเชื่อถือที่ดีขึ้น และประสิทธิภาพการผลิตที่เหนือกว่าในแอปพลิเคชันเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง.
