โซไอซี แอปพลิเคชันการบรรจุขั้นสูง
เทคโนโลยี SoIC (System on Integrated Chips) เป็นหนึ่งในนวัตกรรมหลักในบรรจุภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง โดยการใช้เทคโนโลยีการซ้อนชิปต่อชิป (C2C) และชิปต่อเวเฟอร์ (C2W) 3D ทำให้ SoIC สามารถเพิ่มประสิทธิภาพ ลดการใช้พลังงาน และเพิ่มแบนด์วิธได้มากขึ้นผ่านการรวมระบบในระดับที่ก้าวหน้า.
เมื่อเปรียบเทียบกับเทคโนโลยีบรรจุภัณฑ์แบบดั้งเดิม SoIC มีข้อได้เปรียบที่สำคัญ รวมถึงความหนาแน่นของการเชื่อมต่อที่สูงมาก เส้นทางสัญญาณที่สั้นมาก ประสิทธิภาพทางไฟฟ้าที่ดีขึ้น และความสามารถในการจัดการความร้อนที่เหนือกว่า มันถูกนำไปใช้ในแอปพลิเคชันต่างๆ เช่น ปัญญาประดิษฐ์ (AI) การประมวลผลประสิทธิภาพสูง (HPC) ศูนย์ข้อมูล การสื่อสาร 5G และอิเล็กทรอนิกส์ในยานยนต์.
ที่ Zhanyang เรามีการให้บริการส่วนประกอบหลักของกระบวนการบรรจุ SoIC ที่ครอบคลุมและโซลูชันการยึดที่แม่นยำเพื่อสนับสนุนการผลิตการซ้อน 3D ที่มีความแม่นยำสูง โดยใช้ความเชี่ยวชาญของเราในด้านการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์ การกลึงที่แม่นยำ วัสดุขั้นสูง และเทคโนโลยีการรวมบรรจุภัณฑ์ เราช่วยให้ลูกค้าบรรลุความแม่นยำในการจัดตำแหน่งที่สูงขึ้น ความน่าเชื่อถือของบรรจุภัณฑ์ที่ดีขึ้น ประสิทธิภาพการถ่ายเทความร้อนที่เพิ่มขึ้น และการผลิตในปริมาณมากที่มีเสถียรภาพสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์รุ่นถัดไป.
กระบวนการบรรจุ SoIC
กระบวนการ SoIC ประกอบด้วยขั้นตอนสำคัญดังต่อไปนี้:
การผลิตเวเฟอร์
● การผลิตอุปกรณ์ลอจิกและหน่วยความจำ
การลดความหนาเวเฟอร์
● ลดความหนาเวเฟอร์ให้ต่ำกว่า 50 μm เพื่อเปิดใช้งานการซ้อน 3D
การจัดตำแหน่งและการเชื่อมต่อ
● การเชื่อมต่อ Die-to-Die
● การเชื่อมต่อ Die-to-Wafer
● ความแม่นยำในการจัดตำแหน่งต้องน้อยกว่า 1 μm (ระดับซับไมครอน)
การเชื่อมต่อแบบไฮบริด
● รวมการเชื่อมต่อ Cu-to-Cu กับเทคโนโลยีการเชื่อมต่อด้วยวัสดุฉนวน
การประมวลผลส่วนท้าย
● การบรรจุและการทดสอบขั้นสุดท้าย
ความท้าทายทางเทคนิคของกระบวนการ SoIC
- การจัดตำแหน่งระดับซับไมครอน: ข้อผิดพลาดในการจัดตำแหน่งต้องควบคุมให้อยู่ภายใน 1 μm หรือแม้แต่ระดับนาโนเมตร.
- การบิดเบี้ยวของเวเฟอร์: เวเฟอร์บางมีความไวต่อการบิดเบี้ยวในระหว่างการประมวลผลสูงมาก.
- ความไม่ตรงกันของ CTE: ความแตกต่างในสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนระหว่างวัสดุสามารถนำไปสู่การรวมตัวของความเครียดได้。
- ช่องว่างการเชื่อมต่อ: ข้อบกพร่องที่บริเวณการเชื่อมต่อสามารถส่งผลต่อประสิทธิภาพทางไฟฟ้าและความเชื่อถือได้ในระยะยาว.
- การจัดการชิ้นงานบางพิเศษ: ชิ้นงานที่บางกว่า 50 μm มีความเปราะบางมากและมีแนวโน้มที่จะแตก.
ผลที่ตามมาคือความต้องการเครื่องมือ Bond ที่มีความแม่นยำสูง, เวทีที่มีความเสถียรสูง, และการออกแบบอุปกรณ์ยึดที่มีความแม่นยำยังคงเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ.
ความสามารถทางเทคนิคหลักของเรา
เรามีบริการ:
● การออกแบบส่วนประกอบหลักสำหรับกระบวนการบรรจุ SoIC
● การพัฒนาตัวยึดที่แม่นยำสำหรับการผลิต 3D IC
● บริการการกลึงที่มีความแม่นยำสูงและการรวมวัสดุ
ความสามารถทางเทคนิค:
● เทคโนโลยีการตัดเฉือนไมครอนและซับไมครอน
● การตัดเฉือนเซรามิกที่มีความแม่นยำ (AlN / Al₂O₃)
● วัสดุที่มีความนำความร้อนสูง (AlSiC)
● การขัดและขัดเงาที่มีความแม่นยำสูง
การจัดส่งโซลูชันบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงด้วยความแม่นยำ ความเสถียร และความน่าเชื่อถือที่ยอดเยี่ยม.
โซลูชันผลิตภัณฑ์หลักสำหรับบรรจุภัณฑ์ SoIC
เครื่องมือ Bond
ส่วนประกอบที่สำคัญสำหรับกระบวนการเชื่อม SoIC.
● วัสดุ: เซรามิก AlN / M390 / ทังสเตนคาร์ไบด์
● ความเรียบระดับนาโนเมตร
● ความเสถียรทางความร้อนที่ยอดเยี่ยม
รับประกันคุณภาพการเชื่อมแบบไฮบริดและความเชื่อถือได้ของพื้นผิวการเชื่อม.
ขั้นตอนการให้ความร้อน
ควบคุมอุณหภูมิการเชื่อมและความสม่ำเสมอของความร้อน.
● ความสม่ำเสมอของอุณหภูมิที่เหนือกว่า
● การตอบสนองต่อการทำให้ร้อนและทำให้เย็นอย่างรวดเร็ว
● การออกแบบที่มีความนำความร้อนสูง
หัวเชื่อมต่อ
ให้การควบคุมแรงดันที่แม่นยำ.
● โครงสร้างที่มีความแข็งแรงสูง
● การกระจายแรงดันที่สม่ำเสมอ
● การออกแบบป้องกันการเบี่ยงเบน
อุปกรณ์ยึดบาง
ป้องกันความเสียหายต่อชิ้นงานที่บางพิเศษ.
● ออกแบบการยึดด้วยสูญญากาศที่ปรับให้เหมาะสม
● โครงสร้างป้องกันการเปลี่ยนรูป
ฮีตซิงค์ AlSiC
จัดการกับความท้าทายด้านความร้อนที่มีความหนาแน่นพลังงานสูง.
● ความนำความร้อนสูง
● สัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนต่ำ (CTE)
ข้อได้เปรียบทางเทคนิค
- ความสามารถในการตัดเฉือนที่มีความแม่นยำระดับนาโน
- ความเชี่ยวชาญด้านการผสานรวมวัสดุบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง
- โซลูชันกระบวนการ SoIC แบบกำหนดเอง
- การออกแบบที่มีเสถียรภาพสูงและอายุการใช้งานยาวนาน
การใช้งาน
- ชิป AI
- การประมวลผลสมรรถนะสูง (HPC)
- ศูนย์ข้อมูล
- การสื่อสาร 5G
- อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์
ทำไมถึงเลือก Zhanyang
เรามีมากกว่าชิ้นส่วน—เรามอบ:
โซลูชันบรรจุภัณฑ์ 3D SoIC แบบครบวงจร
Zhanyang มุ่งเน้นการปรับแต่งการบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง SoIC และกระบวนการซ้อน IC 3D โดยใช้เครื่องมือเชื่อมที่มีความแม่นยำสูง, ขั้นตอนการให้ความร้อน, และการออกแบบอุปกรณ์ที่กำหนดเอง เราแก้ไขปัญหาการจัดตำแหน่งและความเสถียรในการเชื่อมที่ระดับนาโนเมตรได้อย่างมีประสิทธิภาพ โดยให้การสนับสนุนเทคโนโลยีที่สำคัญสำหรับยุคถัดไปของ AI และอุปกรณ์การคอมพิวเตอร์ประสิทธิภาพสูง.
