Aplikasi Pembungkusan Lanjutan SoIC
Teknologi SoIC (Sistem pada Cip Terintegrasi) adalah salah satu inovasi utama dalam pembungkusan semikonduktor yang maju. Dengan memanfaatkan teknologi penumpukan 3D Chip-to-Chip (C2C) dan Chip-to-Wafer (C2W), SoIC membolehkan prestasi yang lebih tinggi, penggunaan kuasa yang lebih rendah, dan lebar jalur yang lebih besar melalui integrasi tahap sistem yang maju.
Berbanding dengan teknologi pembungkusan konvensional, SoIC menawarkan kelebihan yang ketara, termasuk kepadatan interkoneksi ultra-tinggi, laluan isyarat yang sangat pendek, prestasi elektrik yang dipertingkatkan, dan keupayaan pengurusan haba yang unggul. Ia digunakan secara meluas dalam aplikasi seperti Kecerdasan Buatan (AI), Pengkomputeran Berprestasi Tinggi (HPC), Pusat Data, komunikasi 5G, dan elektronik automotif.
Di Zhanyang, kami menyediakan komponen teras proses pembungkusan SoIC yang komprehensif dan penyelesaian fixture ketepatan untuk menyokong pembuatan penumpukan 3D yang berketepatan tinggi. Dengan memanfaatkan kepakaran kami dalam pemprosesan semikonduktor, pemesinan ketepatan, bahan maju, dan teknologi integrasi pembungkusan, kami membantu pelanggan mencapai ketepatan penjajaran yang lebih tinggi, kebolehpercayaan pakej yang dipertingkatkan, prestasi terma yang lebih baik, dan pengeluaran berkelantangan tinggi yang stabil untuk peranti semikonduktor generasi akan datang.
Aliran Proses Pembungkusan SoIC
Proses SoIC terutamanya terdiri daripada langkah-langkah utama berikut:
Pembuatan Wafer
● Pembuatan peranti logik dan memori
Pemendekan Wafer
● Mengurangkan ketebalan wafer kepada kurang daripada 50 μm untuk membolehkan penumpukan 3D
Penyelarasan & Pengikatan
● Pengikatan Die-ke-Die
● Pengikatan Die-ke-Wafer
● Keperluan ketepatan penyelarasan kurang daripada 1 μm (tahap sub-mikron)
Pengikatan Hibrid
● Menggabungkan sambungan Cu-ke-Cu dengan teknologi pengikatan dielektrik
Pemprosesan Akhir
● Pembungkusan dan pengujian akhir
Cabaran Teknikal Proses SoIC
- Penyelarasan Sub-Mikron: Kesalahan penyelarasan mesti dikawal dalam toleransi 1 μm atau bahkan tahap nanometer.
- Perangkap Wafer: Wafer nipis sangat mudah terjejas oleh ubah bentuk semasa pemprosesan.
- Ketidakpadanan CTE: Perbezaan dalam pekali pengembangan terma antara bahan boleh menyebabkan penumpuan tekanan.
- Ruang Pengikatan: Kecacatan di antara muka pengikatan boleh mempengaruhi prestasi elektrik dan kebolehpercayaan jangka panjang.
- Pengendalian Die Ultra-Tipis: Die yang lebih nipis daripada 50 μm adalah sangat rapuh dan mudah retak.
Akibatnya, permintaan untuk Alat Bond berketepatan tinggi, tahap yang sangat stabil, dan reka bentuk fixture yang tepat terus meningkat dengan ketara.
Keupayaan Teknikal Teras Kami
Kami menyediakan:
● Reka bentuk komponen teras untuk proses pembungkusan SoIC
● Pembangunan fixture ketepatan untuk pembuatan IC 3D
● Perkhidmatan pemesinan ketepatan tinggi dan integrasi bahan
Keupayaan Teknikal:
● Teknologi pemesinan mikron dan sub-mikron
● Pemesinan seramik ketepatan (AlN / Al₂O₃)
● Bahan konduktiviti terma tinggi (AlSiC)
● Pengisaran dan penggilapan ultra-ketepatan
Menyampaikan penyelesaian pembungkusan yang canggih dengan ketepatan, kestabilan, dan kebolehpercayaan yang luar biasa.
Penyelesaian Produk Utama untuk Pembungkusan SoIC
Alat Bond
Komponen kritikal untuk proses pengikatan SoIC.
● Bahan: Seramik AlN / M390 / Karbida Tungsten
● Rata pada tahap nanometer
● Kestabilan terma yang cemerlang
Memastikan kualiti ikatan hibrid dan kebolehpercayaan antara muka ikatan.
Peringkat Pemanasan
Mengawal suhu pengikatan dan keseragaman terma.
● Keseragaman suhu yang unggul
● Tindak balas pemanasan dan penyejukan yang cepat
● Reka bentuk konduktiviti terma yang tinggi
Kepala Pengikat
Memberikan kawalan tekanan yang tepat.
● Struktur ketegaran tinggi
● Pengagihan tekanan yang seragam
● Reka bentuk anti-peleseran
Perkakas Die Nipis
Mencegah kerosakan kepada die ultra-tipis.
● Reka bentuk pegangan vakum yang dioptimumkan
● Struktur anti-deformasi
Penyejuk AlSiC
Mengatasi cabaran terma kepadatan kuasa tinggi.
● Kefahaman terma yang tinggi
● Koefisien pengembangan terma yang rendah (CTE)
Kelebihan Teknikal
- Keupayaan pemesinan berketepatan tahap nano.
- Kepakaran dalam integrasi bahan pembungkusan termaju.
- Penyelesaian proses SoIC tersuai.
- Reka bentuk kestabilan tinggi dan jangka hayat panjang.
Permohonan
- Cip AI.
- Pengkomputeran Berprestasi Tinggi (HPC).
- Pusat Data.
- Komunikasi 5G.
- Elektronik Automotif.
Mengapa Memilih Zhanyang
Kami menyediakan lebih daripada sekadar komponen—kami menghantar:
Penyelesaian Pembungkusan 3D SoIC Lengkap
Zhanyang memberi tumpuan kepada pengoptimuman pembungkusan SoIC yang maju dan proses penumpukan 3D IC. Melalui Alat Ikatan berketepatan tinggi, Peringkat Pemanasan, dan reka bentuk fixture khusus, kami secara efektif menangani cabaran penjajaran dan kestabilan ikatan pada tahap nanometer, menyediakan sokongan teknologi kritikal untuk generasi seterusnya peranti AI dan pengkomputeran berprestasi tinggi.
